快科技 6 月 9 日消息，据媒体报道，中国科学家成功开发出一种无疲劳铁电材料，并在国际顶级学术期刊《Science》上发表研究成果传统存储芯片因铁电材料存在读写次数限制，稳定性随使用时间推移而降低，这一问题长期制约着存储芯片的进一步研发和应用。

研究团队基于二维滑移铁电机制，开发出一种新型的二维层状滑移铁电材料（3R-MoS2），该材料制备的存储芯片有望突破读写次数限制，实现无限次读写该研究的核心在于利用 " 层间滑移 " 替代传统铁电材料的 " 离子移动 "，通过 AI 辅助的跨尺度原子模拟分析，揭示了二维滑移铁电材料抗疲劳的微观物理机制。

实验表明，采用该材料制备的铁电芯片器件在经历 400 万次循环电场翻转极化后，电学曲线测量显示铁电极化仍未出现衰减此项技术不仅极大提升了存储芯片的可靠性和耐久性，还有助于降低成本，提升存储密度，未来有望在航空航天、深海探测等极端环境应用以及可穿戴设备、柔性电子技术等领域发挥重要作用。

传统铁电材料和二维滑移铁电材料的疲劳特性3R-MoS2 铁电器件的抗疲劳性能分析3R-MoS2 铁电器件的疲劳特性查看原文